| InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性 |
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| 引用本文： | 钱家骏,叶小玲,陈涌海,徐波,韩勤,王占国.InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性[J].半导体学报,2005,26(z1):184-188. |
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| 作者姓名： | 钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论.
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| 关 键 词： | 应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 MBE生长 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0184-05 |
| 修稿时间： | 2004年10月14日 |
Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer |
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| Qian Jiajun,Ye Xiaoling,Chen Yonghai,Xu Bo,Han Qin,Wang Zhanguo.Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):184-188. |
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| Authors: | Qian Jiajun Ye Xiaoling Chen Yonghai Xu Bo Han Qin Wang Zhanguo |
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