| 携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响 |
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| 引用本文： | 敬小成 黄美浅 姚若河. 携带气体对二氧化硅干法刻蚀的影响[J]. 微电子学, 2005, 35(5): 456-460 |
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| 作者姓名： | 敬小成 黄美浅 姚若河 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州510640 |
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| 摘 要： | 文章研究了采用氩气和氦气作携带气体时气体流量对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。实验结果表明，当采用氩气作携带气体时，其流量选择在氩气：刻蚀气体≈1：1时，刻蚀结果优化；当选择氦气作携带气体时，其流量选择在氦气：刻蚀气体≈2：1时，刻蚀结果优化。氩气和氦气相比，氩气更具优越性。
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| 关 键 词： | 半导体工艺 氩气 氦气 干法刻蚀 等离子体 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）05-0456-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-08 |
| 修稿时间： | 2004-12-082005-02-25 |
Effects of Gas Carriers on Dry Etching of Silicon Dioxide |
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| JING Xiao-cheng, HUANG Mei-qian, YAO Ruo-he. Effects of Gas Carriers on Dry Etching of Silicon Dioxide[J]. Microelectronics, 2005, 35(5): 456-460 |
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| Authors: | JING Xiao-cheng HUANG Mei-qian YAO Ruo-he |
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| Affiliation: | School of Physics, South China University of Technology, Guangzhou, Guangdong 510640, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor process Argon Helium Dry etching Plasma |
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