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| 硅双极晶体管低温电流增益模型修正 | |
| 作者姓名： | 苏九令 常旭 |
| 作者单位： | 上海交通大学电子工程系 |
| 摘 要： | 多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合． |
| 关 键 词： | 硅 双极晶体管 低湿 电流增益 晶体管 |
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