| 掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究 |
| |
| 引用本文： | 颜家振,张月,刘阳思,张玉波,黄婉霞,涂铭旌. 掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(9) |
| |
| 作者姓名： | 颜家振 张月 刘阳思 张玉波 黄婉霞 涂铭旌 |
| |
| 作者单位： | 四川大学,四川,成都,610064 |
| |
| 摘 要： | 采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6 形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6 ,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6 量为2.04%,其相变温度下降到28℃.
|
| 关 键 词： | 钨掺杂 相变温度 VO2薄膜 光学性质 |
Preparation of W Doped VO2 Films and Study on Its Thermochromic Properties |
| |
| Yan Jiazhen,Zhang Yue,Liu Yangsi,Zhang Yubo,Huang Wanxia,Tu Mingjin. Preparation of W Doped VO2 Films and Study on Its Thermochromic Properties[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(9) |
| |
| Authors: | Yan Jiazhen Zhang Yue Liu Yangsi Zhang Yubo Huang Wanxia Tu Mingjin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
