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| 垂直电场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算 | |
| 引用本文： | 李树深.垂直电场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算[J].半导体学报,1991,12(12):715-720. |
| 作者姓名： | 李树深 |
| 作者单位： | 阿北师范大学物理系 石家庄050016 |
| 摘 要： | 在有效质量近似下,研究电场对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱子带和类氢杂质束缚能的影响.计算中考虑到了GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中的电子具有不同的有效质量和不同的介电常数.数值计算结果表明,GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中电子有效质量的差异将对电子子带产生较大影响;在阱宽较小时(约10A左右),垂直电场对量子阱内类氢杂质束缚能影响较大. |
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