用微波激活氮的低温淀积氮化硅 |
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引用本文: | M·Shlbagaki,綦素琴.用微波激活氮的低温淀积氮化硅[J].微纳电子技术,1980(1). |
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作者姓名: | M·Shlbagaki 綦素琴 |
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摘 要: | 通过 SiH_4和微波激活(2.45千兆赫)而产生活化氮的反应淀积了氮化硅膜。根据 Arrhenius 图,对于350℃~150℃激活能是0.6千卡/克分子,而对于150℃~50℃是2.3千卡/克分子。当淀积温度低于150℃时,其膜是一种松散的结构,这就引起一个快的腐蚀速率。对于每个 R_P,由不同浓度 SiH_4生成的膜,其折射率有一个最大值,并且低于2。根据 I-R 测量,证明了用目前的方法生成的膜是氮化硅膜。在特殊的条件下,得到了氮化硅的准确的化学配比。萤光光谱分析指出,在淀积的时候,SiH_4在活化氮出现时容易分解为 Si 原子,而且 Si 原子和 N 原子以一种气体状态存在。
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