| IGBT极限电流与通态极限功耗的研究 |
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| 引用本文： | 李山,张立.IGBT极限电流与通态极限功耗的研究[J].中国电机工程学报,1999,19(6):47-51. |
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| 作者姓名： | 李山 张立 |
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| 作者单位： | 天津大学电气自动化与能源工程学院,300072,天津 |
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| 摘 要： | 重点对绝缘门双极体管（ＩＧＢＴ）的极限电流与极限功耗进行了研究。在ＩＧＢＴ输出特性上，过电流状态下，因其功耗过大引起民温度升高导致热击穿以及在过电流埋由于ＩＧＢＴ导通时间延长引起民的热击穿都可可造成ＩＧＢＴ损坏。文章从器件模型理论出发，阐述了ＩＧＢＴ损坏前的两有限参数。过电流捍极限能耗参数Ｋｄｍａｘ＝∫ｍａｘｉＡ（ｔ）ｕｃｅ（ｔ）ｄｔ及过电流时在输出特性上通态功耗极限参数ＰＭ》
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| 关 键 词： | IGBT 极限电流 极限功耗 双极性晶体管 |
| 修稿时间： | 1997-11-24 |
RESEARCH ON IGBT LIMITING CURRENT AND ON-STATE LIMITING POWER LOSS |
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| Li Shan,Zhang Li.RESEARCH ON IGBT LIMITING CURRENT AND ON-STATE LIMITING POWER LOSS[J].Proceedings of the CSEE,1999,19(6):47-51. |
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| Authors: | Li Shan Zhang Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IGBT limiting current limiting power loss nondestructive testing |
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