用C—V测量技术研究HCl氧化对表面态的影响

前言在N沟MS4096单管单元随机存储器的研制中,设计要求在电阻率为9～10Ω—cm的P型衬底上,作出增强型器件(V_T=0.2～0.5V),这就意味着硅中的表面态要在10~(11)/cm~2数量级以下。但在通常的氧化条件下,获得的样品表面态往往是10~(11)～10~(12)数量级。据国内外一些文献报导,在氧化气氛中,加入一定比例的HCl,则可大大降低表面态密度。针对这个问题,我们借助C—V测试技术,作了大量的实验工作,结果表明,掺HCl氧化所得到的样品表面态密度可以减少到10~(10)/cm~2数量级。用体积比为6—7％的HCl氧化气氛加上适当的退火条件,现已做出了合格的模拟4096位的4×4单管单元随机存储器。掺HCl氧化确实是降低表面态的一种行之有效的工艺措施。