首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高功率微波可变衰减器
引用本文:杨鸿生,彭艳军,郑福萍,沈长圣,于忠礼. 高功率微波可变衰减器[J]. 电子器件, 2003, 26(2): 125-126
作者姓名:杨鸿生  彭艳军  郑福萍  沈长圣  于忠礼
作者单位:东南大学电子工程系,南京,210096
摘    要:介绍了高功率微波可变衰减器的设计和测量结果.刀形衰减器的衰减片由通水的聚四氟乙烯制成,利用槽波导技术和截止波导技术,降低了衰减器的漏能。衰减量的变化范围是0-10dB。在工作频段内除少数测量点之外,驻波比小于1.1,可以安全使用。

关 键 词:高功率 微波 可变衰减器
文章编号:1005-9490(2003)02-0125-02
修稿时间:2003-01-29

High Power Microwave Variable Attenuator
YANG Hongsheng PENG Yanjun ZHENG Fuping SHEN Changsheng YU Zhongli. High Power Microwave Variable Attenuator[J]. Journal of Electron Devices, 2003, 26(2): 125-126
Authors:YANG Hongsheng PENG Yanjun ZHENG Fuping SHEN Changsheng YU Zhongli
Abstract:The design and measured results of high power variable attenuator are presented in this paper. In flap attenuator a resistive card was made from polytetrafluoroethylene(PTFE) cavity passed through water. Both groove guide technique and cutoff waveguide technique were used to reduce the leakage energy of attenuator. The attenuation varies from zero to ten dB. In frequency band the VSWR (Voltage Standing-Wave Ratio) is lower than 1.1 except for a few data of measured points. It is safe against leakage energy for user.
Keywords:high power  microwave  variable attenuator
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子器件》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号