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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
850V／18A,1200V／8AIGBT研制
作者姓名：
袁寿财 王晓宝
作者单位：
西安电力电子技术研究所
摘 要：
简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ，１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。
关 键 词：
IGBT 元胞 MOS型 功率开关器件
本文献已被
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