首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
a—SiFET电流—电压特性研究
作者姓名:
曾云 陈迪平
摘 要:
本文对a-SiFET的电流-电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入a-Si隙态密度分布的具体假设假设模型,采用合理的数学方法,推导出a-SiFET电流-电压关系的解析表达式,对a-SiFET电流-电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合,为a-SiFET的理论分析开辟了一条新途径。
关 键 词:
非晶硅 电流-电压 场效应晶体管
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号