| 硅量子线的研究 |
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| 引用本文： | 施毅 茅保华. 硅量子线的研究[J]. 高技术通讯, 1995, 5(10): 32-34 |
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| 作者姓名： | 施毅 茅保华 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，南京电子器件研究所 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用常规硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压ＣＶＤ生长技术，成功地硅单晶衬底上制作了硅／二氧化硅异质界面结构超精细硅量子线。本项研究结果对开展低维量子结构物理及硅量子器件的研究具有十分重要的意义。
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| 关 键 词： | 量子线 硅 二氧化硅 离子刻蚀 量子器件 |
Study of Silicon Wuantum Wires |
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| Shi Yi, Liu Jianlin,Wang Feng,Zhang Rong,HanPing,Gu Shulin,Mao Baohua ,Zheng Youdou. Study of Silicon Wuantum Wires[J]. High Technology Letters, 1995, 5(10): 32-34 |
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| Authors: | Shi Yi Liu Jianlin Wang Feng Zhang Rong HanPing Gu Shulin Mao Baohua Zheng Youdou |
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| Abstract: | Ultra fine silicon quantum wires with the Si/SiO2 heterointerface have been fabricated successfully byDsing reactive ion etching,anisotropic wet chemical etching and susequent thermal oxidation. This workwill play an important role in the research of low-dimension quantum physics and devices. |
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| Keywords: | Quantunl wire Silicon Silicon dioxide Silicon technique |
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