| InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 江李,林涛,韦欣,王国宏,张广泽,张洪波,马骁宇.InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长[J].半导体学报,2005,26(2):319-323. |
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| 作者姓名： | 江李 林涛 韦欣 王国宏 张广泽 张洪波 马骁宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083
(江李，林涛，韦欣，王国宏，张广泽，张洪波，马骁宇)，河北半导体研究所 石家庄050051(李献杰) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 为了生长能满足器件制作所需的外延片，采用低压金属有机物化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）结构，1.55μm多量子阱激光二极管（MQW LD）以及两者集成的光发射光电集成电路（OEIC）材料结构。激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱（阱区λ＝1.6μm，垒区λ＝1.28μm）；HBT结构则采用550℃低温生长，其中基区采用Zn掺杂，掺杂浓度约为2×1019 cm-3。对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射，光致发光谱（PL）和二次离子质谱仪（SIMS）测试，结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟 长波长 光发射 OEIC 材料结构 MOCVD 低温生长 Structure Transmitter Long Wavelength 结果 测试 二次离子质谱仪 光致发光谱 双晶衍射 射线 掺杂浓度 阱区 InGaAsP 周期 有源区 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)02-0319-05 |
| 修稿时间： | 2004年1月15日 |
InP Based Long Wavelength Transmitter OEIC Structure Grown by MOCVD |
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| Jiang Li,Lin Tao,Wei Xin,Wang Guohong,Zhang Guangze,Zhang Hongbo,Ma Xiaoyu,Li Xianjie.InP Based Long Wavelength Transmitter OEIC Structure Grown by MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):319-323. |
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| Authors: | Jiang Li Lin Tao Wei Xin Wang Guohong Zhang Guangze Zhang Hongbo Ma Xiaoyu Li Xianjie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD OEIC HBT LD InP |
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