| 基于0.18 μm CMOS工艺的2.4/5.2 GHz双频段LNA的设计 |
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| 作者姓名： | 景一欧 李勇 赖宗声 孙玲 景为平 |
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| 作者单位： | 华东师范大学信息学院电子系,上海,200062;南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏,南通,226007 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目 , 江苏省重点实验室基金 , 江苏省高科技研究(工业部分)项目 |
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| 摘 要： | 采用0.18 μm CMOS工艺,实现了双频段低噪声放大器设计.通过射频选择开关,电路可以分别工作在无线局域网标准802.11g规定的2.4 GHz和802.11a规定的5.2 GHz频段.该低噪声放大器为共源共栅结构,设计中采用了噪声阻抗和输入阻抗同时匹配的噪声优化技术.电路仿真结果表明:在2.4 GHz频段电路线性增益为15.4 dB,噪声系数为2.3 dB,1 dB压缩点为-12.5 dBm,IIP3为-4.7 dBm;5.2 GHz频段线性增益为12.5 dB,噪声系数为2.9 dB,1 dB压缩点为-11.3 dBm,IIP3为-5.5 dBm.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 共源共栅结构 双频段 射频开关 阻抗匹配 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1144-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-08 |
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