| 高阻真空区熔硅单晶的生长 |
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| 引用本文： | 闫萍,陈立强,张殿朝. 高阻真空区熔硅单晶的生长[J]. 半导体技术, 2007, 32(4): 301-303,312 |
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| 作者姓名： | 闫萍 陈立强 张殿朝 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103 Ω·cm及(1～2)×104Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω·cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂.单晶直径30～35 mm,晶向〈111〉.经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上.
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| 关 键 词： | 硅单晶 真空区熔 高电阻率 区熔掺杂 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）04-301-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-03 |
Growth of FZ-Si Crystal with High Resistivity in Vacuum |
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| YAN Ping,CHEN Li-qiang,ZHANG Dian-chao. Growth of FZ-Si Crystal with High Resistivity in Vacuum[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(4): 301-303,312 |
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| Authors: | YAN Ping CHEN Li-qiang ZHANG Dian-chao |
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| Affiliation: | The 46^th Research Insitute, CETC, Tianjin 300220, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si crystal FZ in vacuum high resistivity FZ-doping |
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