中功率GaAs双极晶体管 |
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引用本文: | H.Beneking,牛晓青.中功率GaAs双极晶体管[J].微纳电子技术,1983(4). |
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作者姓名: | H.Beneking 牛晓青 |
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摘 要: | 用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出这样的双极晶体管并进行了测试。最大振荡频率f_(MAG)=2.2GHz,截止频率f_T=2.7GHz,这表明了管子的高频适用能力。而发射极-集电极击穿电压V_(CBO)≥~100V;最大集电极电流I_(Cmax)~300mA,为大功率应用的标志,晶体管的工作温度范围为—269℃~+350℃。双异质结NpN晶体管消除了共发射极结构的Npn宽禁带发射极Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs晶体管0.2V的导通电压。此种NpN晶体管能双向工作并有类似的电流增益,这是由宽禁带发射极原理和发射极-基极、集电极-基极异质结的对称性所致。与Npn GaAs晶体管比较,NpN GaAs晶体管的存贮时间t_s约等于Npn晶体管的一半。
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