磷酸处理对多孔SiO_2薄膜质子导电特性和双电层薄膜晶体管性能的影响 |
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引用本文: | 万相,刘阳辉,张洪亮.磷酸处理对多孔SiO_2薄膜质子导电特性和双电层薄膜晶体管性能的影响[J].无机材料学报,2014(5):482-486. |
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作者姓名: | 万相 刘阳辉 张洪亮 |
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作者单位: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学技术大学纳米科学技术学院; |
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基金项目: | 国家自然科学基金(51302276,51102187);浙江省博士后择优项目(BSH1302050)~~ |
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摘 要: | 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO2薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响。结果表明:多孔SiO2薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大,60%浓度磷酸处理后多孔SiO2薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10-4 S/cm和6.33μF/cm2。随磷酸浓度升高,双电层薄膜晶体管的工作电压降低,并且,电流开关比也变大。其中60%浓度磷酸处理后器件工作电压为1.2 V,迁移率为20 cm2/(V·s),电流开关比为4×106。这种双电层薄膜晶体管有望应用在化学和生物传感等领域。
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关 键 词: | 双电层 薄膜晶体管 磷酸处理 多孔SiO |
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