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| pH-ISFET滞后特性及其补偿技术的研究 | |
| 引用本文： | 王贵华,虞惇,张玉良.pH-ISFET滞后特性及其补偿技术的研究[J].传感器与微系统,1987(Z1). |
| 作者姓名： | 王贵华 虞惇 张玉良 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学 (王贵华，虞惇)，哈尔滨工业大学(张玉良) |
| 摘 要： | <正> 本文通过大量实验,对在不同pH值的水溶液中和当水溶液的氢离子活度发生变化时,Si_3N_4膜pH-ISFET的敏感膜与溶液界面电势差的响应过程进行了深入的研究。实验结果表明,Si_3N_4膜pH-ISFET存在着严重的滞后效应,所谓滞后效应是指当溶液的pH值发生变 |
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