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| 能获得均匀阈值电压的GaAs栅SISFET | |
| 引用本文： | 张汉三.能获得均匀阈值电压的GaAs栅SISFET[J].微纳电子技术,1985(1). |
| 作者姓名： | 张汉三 |
| 摘 要： | <正> 日本电子综合技术研究所最近试制了一种以GaAs作栅材料的自对准增强型FET—SISFET,获得了均匀的阈值电压。制作方法是:在半绝缘GaAs衬底上,用分子束外延方法连续生长非掺杂的GaAs(1.35μm)、非掺杂的Al_(0.4)Ga_(0.6)As(4nm)、掺硅的N~+-GaAs(0.5μm)。掺硅层的载流子浓度为1×10~(18)cm~(-3),生长温度约为690℃,GaAs层的生长速度为0.68μm/h,AlGaAs层的为 |
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