| 低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 |
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| 引用本文： | 郑丽萍,严北平,孙海锋,刘新宇,和致经,吴德馨.低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管[J].半导体学报,2003,24(3):318-321. |
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| 作者姓名： | 郑丽萍 严北平 孙海锋 刘新宇 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(郑丽萍，严北平，孙海锋，刘新宇，和致经)，中国科学院微电子中心 北京100029(吴德馨) |
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| 摘 要： | 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.
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| 关 键 词： | 开启电压 GaAsSb 双异质结晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)03-0318-04 |
| 修稿时间： | 2002年5月29日 |
Low Turn-on Voltage of InGaP/GaAsSb/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor |
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| Zheng Liping,Yan Beiping,Sun Haifeng,Liu Xinyu,He Zhijing and Wu Dexin.Low Turn-on Voltage of InGaP/GaAsSb/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(3):318-321. |
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| Authors: | Zheng Liping Yan Beiping Sun Haifeng Liu Xinyu He Zhijing and Wu Dexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | turn-on voltage GaAsSb double heterojunction bipolar transistor |
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