| Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取 |
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| 引用本文： | 刘军,孙玲玲. Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取[J]. 半导体学报, 2006, 27(5) |
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| 作者姓名： | 刘军 孙玲玲 |
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| 基金项目： | 浙江省科技攻关项目 , 浙江省国际科技合作计划 |
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| 摘 要： | 对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族 HBT模型 冷偏 本征和外部结电容 本征集电极电阻 解析提取 化合物 等效电路模型 参数提取 Extraction Parameter Model 算法精度 结果 验证 器件参数 GaAs 面积 发射结 运用 集电极电阻 方法 直接提取 测量 条件 开发 |
Parameter Extraction of a Ⅲ-Ⅴ Compound HBT Model |
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| Liu Jun,Sun Lingling. Parameter Extraction of a Ⅲ-Ⅴ Compound HBT Model[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(5) |
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| Authors: | Liu Jun Sun Lingling |
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