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杂志ISSN号
功率GaAs FET
引用本文:
戴玲华. 功率GaAs FET[J]. 微纳电子技术, 1984, 0(3)
作者姓名:
戴玲华
摘 要:
本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻、击穿电压等等,以及对这些因素加以克服或限制的技术。折衷的结果将使所研制的器件具有良好的微波性能。
功率GaAs FET
Abstract:
Keywords:
本文献已被
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