沟道效应和晶格损伤分布

本工作介绍了利用沟道效应来测定晶格损伤分布的方法。在获取晶格损伤分布的过程中,对随机入射和定向入射的情况采用了不同的能量深度转换关系,由此对背散射截面作能量校正,并根据单次散射的退道机制来求得随机因子。用上述方法获得了50keV氖离子在硅单晶中产生的损伤分布,其分布峰值处深度与氖离子在硅中投影射程的比值和理论判断值也符合得很好。