| Fex-C1-x/Si颗粒膜的巨磁电阻效应 |
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| 引用本文： | 章晓中,薛庆忠. Fex-C1-x/Si颗粒膜的巨磁电阻效应[J]. 稀有金属, 2006, 30(4): 429-431 |
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| 作者姓名： | 章晓中 薛庆忠 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 利用激光脉冲沉积（PLD）方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻（MR）可正可负，随温度而变化。当温度T〈258K时，Fe0．011-C0.989／Si的MR为负值；当258K〈T〈340K时，该材料的MR为正值，在室温磁场为1T时，该材料的正MR可以大于20％。且在不同的温度范围中，该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点：在T=280和300K时，当磁场小于1T时，MR随磁场的增加而快速增加，之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢；在T=350K时，MR近似以磁场的B^1.5。的规律变化；而在T=30K时，MR为负值且其大小随磁场的增加而减小。利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释。
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| 关 键 词： | 磁电阻 碳膜 硅 |
| 文章编号： | 0258-7076（2006）04-0429-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-01 |
| 修稿时间： | 2005-12-012006-01-07 |
Giant Magnetoresistance of Fex-C1-x Films on Si Substrates |
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| Zhang Xiaozhong,Xue Qingzhong. Giant Magnetoresistance of Fex-C1-x Films on Si Substrates[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2006, 30(4): 429-431 |
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| Authors: | Zhang Xiaozhong Xue Qingzhong |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Advanced Materials, Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | Fe_x-C_1-x films on n-Si substrates were prepared using pulsed laser deposition method.A novel type of magnetoresistance(MR) was found in Fe_x-C_1-x/Si.When T<258 K,MR of Fe_0.011-C_0.989/Si is negative and when 258 K
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| Keywords: | giant magnetoresistance carbon film silicon |
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