| 热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄清伟,高积强,金志浩. 热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响[J]. 耐火材料, 2000, 34(1): 17-19 |
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| 作者姓名： | 黄清伟 高积强 金志浩 |
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| 作者单位： | 西安交通大学材料科学与工程学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59772013). |
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| 摘 要： | 研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.
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| 关 键 词： | 碳化硅 反应烧结 热处理 |
| 修稿时间： | 1999-03-15 |
Effect of heat treatment temperature on microstructure and fracture strength of reaction- sintered silicon carbide |
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| Huang Qingwei,Gao Jiqiang,Jin Zhihao. Effect of heat treatment temperature on microstructure and fracture strength of reaction- sintered silicon carbide[J]. Refractories, 2000, 34(1): 17-19 |
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| Authors: | Huang Qingwei Gao Jiqiang Jin Zhihao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon carbide Reaction bonded Heat treatment |
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