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| 有分离层的长波雪崩光电二极管 | |
| 引用本文： | 友清.有分离层的长波雪崩光电二极管[J].激光与光电子学进展,1999(11). |
| 作者姓名： | 友清 |
| 摘 要： | 对于光传感应用而言，波长达到或超过２μｍ的光电探测器是有益的。目前以砷化铟镓（ＩｎＧａＡｓ）为基础的探测器呈现很大暗电流，不适合雪崩光电二极管之类的强电场器件。现在，普林斯顿大学的研究人员已发展一种制作理论上能探测到２．１μｍ波长的雪崩光电二极管技术。带有高铟含量的材料可做在磷化铟衬底上，但它是压应变的，由此限制了可生长的应变量子阱数目，从而也限制了其量子效率。普林斯顿研究小组用另一层同样的但是反应变的材料来补偿ＩｎＧａＡｓ的压应变。所制成的器件有２．８μｍ厚度的吸收区，有由６００个以上外延层构… |
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