| HCl-（NH4）2S2O8体系抛光液中钌的化学机械抛光研究 |
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| 引用本文： | 储向峰,李秀金,汤丽娟,董永平,乔红兵.HCl-（NH4）2S2O8体系抛光液中钌的化学机械抛光研究[J].现代制造工程,2012(7):17-21. |
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| 作者姓名： | 储向峰 李秀金 汤丽娟 董永平 乔红兵 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学化学化工学院,马鞍山,243002 |
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| 摘 要： | 金属钌(Ru)有可能作为集成电路中铜互连阻挡层材料,作为阻挡层必须具有低的表面粗糙度。化学机械抛光技术已经成为集成电路制造中实现局部平面化和全局平面化的关键技术,因此对钌的化学机械抛光研究具有重要意义。利用自制抛光液,研究了在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中盐(KCl)的浓度、络合剂浓度、pH值和抑制剂(BTA)等对钌的去除速率的影响。实验发现,在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中,金属钌在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和10mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,抛光速率为10.8nm/min。电化学实验发现,在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1mmol/L KCl,pH值为4.0的抛光液中,金属钌表面化学反应受抑制;在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1 mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,金属钌表面钝化膜较致密、较厚。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 钌 阻挡层材料 |
Investigation on the chemical mechanical polish of Ru in HCl-(NH4)2S2O8 slurries |
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| Chu Xiangfeng
,
Li Xiujin
,
Tang Lijuan
,
Dong Yongping
,
Qiao Hongbing.Investigation on the chemical mechanical polish of Ru in HCl-(NH4)2S2O8 slurries[J].Modern Manufacturing Engineering,2012(7):17-21. |
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| Authors: | Chu Xiangfeng Li Xiujin Tang Lijuan Dong Yongping Qiao Hongbing |
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| Affiliation: | (School of Chemistry and Chemical Engineering,Anhui University of Technology, Maanshan 243002,Anhui,China) |
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| Abstract: | |
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