| 晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术 |
| |
| 引用本文： | 金蔚青,潘志雷,程宁,袁晖. 晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术[J]. 无机材料学报, 1997, 0(3) |
| |
| 作者姓名： | 金蔚青 潘志雷 程宁 袁晖 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050 |
| |
| 基金项目： | 国家科学技术委员会攀登计划资助，国家自然科学基金!59372079 |
| |
| 摘 要： | 晶体生长边界层模型起源于流体动力学边界层模型，但两者又不完全相同．晶体生长边界层模型有两方面的含义：（1）在固-液界面处的、垂直于界面的、由杂质和组份构成的质量流决定晶体生长速度；（2）在界面附加溶液一侧的质量浓度流，其浓度分布是决定界面稳定性的基本参数．特征扩散长度是表征垂直于界面的质量流的一个重要参数．对熔体晶体生长而言，理论估计此值在0．04～0．4cm之间．光学实时观察法晶体生长技术是一种研究晶体生长过程的新颖方法．它能有效地区分扩散-平流和扩散-对流两种不同的生长状态，其实验测得的KNbO3熔体生长的特征扩散长度值为0．01～0．1cm之间．应用此方法实时观察到胞状结构的形成和发展，也证实了界面附近的质量浓度流是决定界面稳定性的一个重要参数．
|
| 关 键 词： | 边界层效应 熔体晶体生长 光学实时观察法 特征扩散长度 界面胞状结构 |
Boundary Layer Effect in Crystal Growth-Comments on the Optical in Situ Observation Technique for Melt Crystal Growth |
| |
| JIN Weiqing, PAN Zhilei, CHENG Ning, YUAN Hui. Boundary Layer Effect in Crystal Growth-Comments on the Optical in Situ Observation Technique for Melt Crystal Growth[J]. Journal of Inorganic Materials, 1997, 0(3) |
| |
| Authors: | JIN Weiqing PAN Zhilei CHENG Ning YUAN Hui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | boundary layer effect melt growth optical in-situ observation method characteristicdiffusion distance cellular interface structure. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
