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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀
作者姓名:
王启元
王俊
韩秀峰
邓惠芳
王建华
昝育德
蔡田海
郁元桓
林兰英
作者单位:
中国科学院半导体研究所
摘 要:
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺,以增强本征吸杂效果.在本征吸杂工艺的低温热退火中,用连续的线性缓慢升温(Ramping)退火替代常规的长时间低温恒温退火,应用于直拉(CZ)重掺N型硅衬底片,明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度,这些高密度氧沉淀物在随后IC器件热工艺中继续长大,成为稳定的高效本征吸杂中心.从经典的成核沉淀理论,讨论了Ramping热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理.
关 键 词:
本征吸杂技术 LSI 硅 热退火 制造工艺 IC 掺锑
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