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| Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀 | |
| 作者姓名： | 王启元 王俊 韩秀峰 邓惠芳 王建华 昝育德 蔡田海 郁元桓 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理． |
| 关 键 词： | 本征吸杂技术 LSI 硅 热退火 制造工艺 IC 掺锑 |
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