| （Cs,O）／GaAs热退火的变角XPS定量研究 |
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| 引用本文： | 汪贵华,富容国,杨伟毅. （Cs,O）／GaAs热退火的变角XPS定量研究[J]. 真空与低温, 2001, 7(1): 58-62 |
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| 作者姓名： | 汪贵华 富容国 杨伟毅 |
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| 作者单位： | 南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094 |
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| 摘 要： | 用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应,首次定量地计算了(Cs,O)/GaAs系统的表面(Cs,O)层和界面(Ga,As)弛豫层的厚度和组分.(Cs,O)/GaAs系统在625～650℃的热退火后,(Ga,As)驰豫层厚度减薄,Ga,As的原子浓度增大;且消除了O与As的化学连接.
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| 关 键 词： | 变角X射光电子能谱 GaAs光电阴极 层结构 热退火 |
| 文章编号： | 1006-7086(2001)01-0058-05 |
| 修稿时间： | 2000-02-02 |
QUANTITATIVE STUDY ON (Cs, O)/GaAs UNDER ANNEALING BY ANGULAR DEPENDENT XPS |
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| WANG Gui-hua,FU Rong-guo,YANG Wei-yi. QUANTITATIVE STUDY ON (Cs, O)/GaAs UNDER ANNEALING BY ANGULAR DEPENDENT XPS[J]. Vacuum and Cryogenics, 2001, 7(1): 58-62 |
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| Authors: | WANG Gui-hua FU Rong-guo YANG Wei-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | angular-dependent X-ray electron spectroscopy GaAs photocathod layer structure heat annealing |
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