| InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器 |
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| 引用本文： | 马晓乐,郭杰,郝瑞亭,魏国帅,王国伟,徐应强,牛智川.InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器[J].红外与毫米波学报,2021,40(5):569-575. |
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| 作者姓名： | 马晓乐 郭杰 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室,云南昆明650500;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电子工程中心,北京100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61774130 11474248， 61176127， 61006085， 61274013，61306013） |
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| 摘 要： | 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下,SiO_2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10~5Ω?cm~2,暗电流密度为5.27×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为6.83×10~6Ω?cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10~6Ω?cm~2,暗电流密度为4.12×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为4.49×10~7Ω?cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。
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| 关 键 词： | InAs/GaSb超晶格 GaSb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰 |
| 收稿时间： | 2020/8/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/9/4 0:00:00 |
Mid-/Short-Wave dual-band infrared detector based on InAs/GaSb superlattice /GaSb bulk materials |
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| MA Xiao-Le,GUO Jie,HAO Rui-Ting,WEI Guo-Shuai,WANG Guo-Wei,XU Ying-Qiang and NIU Zhi-Chuan.Mid-/Short-Wave dual-band infrared detector based on InAs/GaSb superlattice /GaSb bulk materials[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2021,40(5):569-575. |
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| Authors: | MA Xiao-Le GUO Jie HAO Rui-Ting WEI Guo-Shuai WANG Guo-Wei XU Ying-Qiang and NIU Zhi-Chuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAs/GaSb superlattice GaSb bulk material mid-/short-wave dual-band infrared detector side wall resistivity low optical cross-talk |
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