| a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究 |
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| 引用本文： | 吴春亚,张建军,李洪波,王庆章,王宗畔,赵颖,耿新华,孙钟林.a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究[J].光电子技术,1998(3). |
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| 作者姓名： | 吴春亚 张建军 李洪波 王庆章 王宗畔 赵颖 耿新华 孙钟林 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所!天津300071，国家教委光学信息技术科学开放研究实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!59572034，南开大学校内基金 |
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| 摘 要： | 用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
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| 关 键 词： | SiGe_x薄膜 激光退火 多晶化 |
Investigation on Excimer Laser Annealing to a-SiGe_x:H Film |
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| Wu Chunya,Zhang Jianjun,Li Hongbo,Wang Qingzhang,Wang Zongpan,Zhao Ying,Geng Xinhua,Sun Zhonglin.Investigation on Excimer Laser Annealing to a-SiGe_x:H Film[J].Optoelectronic Technology,1998(3). |
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| Authors: | Wu Chunya Zhang Jianjun Li Hongbo Wang Qingzhang Wang Zongpan Zhao Ying Geng Xinhua Sun Zhonglin |
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| Abstract: | a-SiGex: H films with different Ge content were annealed by KrF and XeCl excimer laser. All SiGe films can be poly-crystallized if laser energy density goes beyond threshold. The film with more Ge content has lower energy density threshold and larger grain size. |
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| Keywords: | SiGe_x films laser annealing poly-crystallization |
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