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| 多量子阱红外探测器垂直光耦合研究 | |
| 引用本文： | 马楠,邓军,牟明威,史衍丽,崔碧峰,张蕾,沈光地. 多量子阱红外探测器垂直光耦合研究[J]. 微细加工技术, 2008, 0(3) |
| 作者姓名： | 马楠 邓军 牟明威 史衍丽 崔碧峰 张蕾 沈光地 |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学,光电子实验室,北京,100022 2. 吉林大学,长春,130012 3. 昆明物理所,昆明,650223 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基岔资助项目，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论.通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下,I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较了将器件衬底磨45.斜角的边耦合情况,以及直接将衬底减薄至(29±2)μm两种情况下器件的性能.并讨论了减薄材料在垂直入射情况下仍能引起器件光吸收的主要原因.结果表明,由于GaAs材料的各向异性,湿法腐蚀会使器件台面形成正梯形和倒梯形结构,其作用等同于器件磨至45°斜角,因此在垂直入射时器件也会有光电流产生.此外,在衬底进行减薄抛光后,衬底会有很小的起伏,这也可能引起光耦合,从而产生光电流. |
| 关 键 词： | 多量子阱 红外 衬底减薄 光耦合 |
Study of Multi-quantum Well Infrared Photodetectors with Vertical Optical Coupling |
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| MA Nan,DENG Jun,MU Ming-wei,SHI Yan-li,CUI Bi-feng,ZHANG Lei,SHEN Guang-di. Study of Multi-quantum Well Infrared Photodetectors with Vertical Optical Coupling[J]. Microfabrication Technology, 2008, 0(3) | |
| Authors: | MA Nan DENG Jun MU Ming-wei SHI Yan-li CUI Bi-feng ZHANG Lei SHEN Guang-di |
| Affiliation: | MA Nan1,DENG Jun1,MU Ming-wei2,SHI Yan-li3,CUI Bi-feng1,ZHANG Lei1,SHEN Guang-di1(1.Beijing Opt-electronic Laboratory,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China,2.Jilin University,Changchun 130012,3.Kunming Institute of Physics,Kunming 650023,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | multiple quantum wells infrared thinning substrate optical coupling |
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