| Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展 |
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| 引用本文： | 刘宏,王继扬,郝晓涛. Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展[J]. 半导体光电, 2000, 21(1): 6-10 |
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| 作者姓名： | 刘宏 王继扬 郝晓涛 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室!济南250100山东轻工业学院无机材料系，济南250100，山东大学晶体材料国家重点实验室!济南250100，山东大学物理系光电研究所!济南250100 |
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| 摘 要： | 低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。
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| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族化合物 低维材料 半导体材料 制备技术 |
Progress in Preparation Technologyfor Low DimensionSemiconductor Materials of |
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| LIU Hong ,,WANG Ji yang ,HAO Xiao tao. Progress in Preparation Technologyfor Low DimensionSemiconductor Materials of[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2000, 21(1): 6-10 |
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| Authors: | LIU Hong WANG Ji yang HAO Xiao tao |
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| Affiliation: | LIU Hong 1,2,WANG Ji yang 1,HAO Xiao tao 3 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | compound low dimension material semiconductor material |
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