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| 悬浮区域熔炼法制备REB6（LaB6、CeB6）单晶体及其表征 | |
| 作者姓名： | 张宁 张久兴 包黎红 李晓娜 |
| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50871002) |
| 摘 要： | 采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。 |
| 关 键 词： | 悬浮区域熔炼 单晶LaB6 单晶CeB6 表征 |
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