| REBULF LDMOS实验结果及具有部分n+浮空层结构的分析 |
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| 引用本文： | 段宝兴,黄勇光,张波,李肇基.REBULF LDMOS实验结果及具有部分n+浮空层结构的分析[J].半导体学报,2007,28(8). |
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| 作者姓名： | 段宝兴 黄勇光 张波 李肇基 |
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| 摘 要： | 分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n 浮空层的作用,但暴露于表面的n p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了具有部分n 浮空层的REBULF LDMOS结构,此结构不但具有降低体内电场的REBULF效应,而且终止于源端体内的n p结解决了文献10]中的大漏电流问题.分析结果表明,击穿电压较一般RESURF LDMOS结构提高60%以上.
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| 关 键 词： | LDMOS n 浮空层 REBULF效应 击穿电压 |
Experiment Results of REBULF LDMOS and Analysis of a Partial n+-Floating Structure |
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| Duan Baoxing,Huang Yongguang,Zhang Bo,Li Zhaoji.Experiment Results of REBULF LDMOS and Analysis of a Partial n+-Floating Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(8). |
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| Authors: | Duan Baoxing Huang Yongguang Zhang Bo Li Zhaoji |
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