| 光电子能谱的X射线对TATB、TNT表面结构的影响 |
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| 引用本文： | 徐涛,王丽鑫. 光电子能谱的X射线对TATB、TNT表面结构的影响[J]. 含能材料, 2005, 13(Z1): 27-29 |
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| 作者姓名： | 徐涛 王丽鑫 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 采用X射线光电子能谱(XPS)中的双阳极Mg Kα射线(1253.6 eV)作为辐射源,对TATB、TNT表面进行持续照射,并采用XPS对其表面效应进行了研究.研究结果表明TATB表面的NH2/NO2含量之比在前20 min随着时间的延长逐渐增大,在30～60 min之间呈稳定趋势;TNT在X射线照射下放气量很大,元素分析结果表明C元素和O元素含量在10 min以后有升高的趋势,而对应的N元素含量相应减少.
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| 关 键 词： | 物理化学 X射线光电子能谱 炸药 表面结构 TATB TNT |
Effect of X-ray Irradiation of XPS on the TATB, TNT Surface Structure |
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| XU Tao,WANG Li-xin. Effect of X-ray Irradiation of XPS on the TATB, TNT Surface Structure[J]. Chinese Journal of Energetic Materials, 2005, 13(Z1): 27-29 |
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| Authors: | XU Tao WANG Li-xin |
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