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| Pt/a-Si肖特基太阳电池的退火效应 | |
| 引用本文： | 韩茂畴,孙仲林.Pt/a-Si肖特基太阳电池的退火效应[J].太阳能学报,1983(3). |
| 作者姓名： | 韩茂畴 孙仲林 |
| 作者单位： | 南开大学 (韩茂畴)，南开大学(孙仲林) |
| 摘 要： | 我们用射频溅射代替电子束蒸发制作(?)100mm的太阳电池,Pt的消耗量仅万分之一克左右。为了消除射频溅射造成a-Si表面的损伤和界面态的增加,在电池制成以后对它进行了适当的退火,使V_(oc)和j_(sc)分别提高40％和30％左右。经退火和加上减反射膜的单体电池,其性能如下:V_(oc)=595mV,I_(sc)=14.1mA/cm~2,FF=0.49,η=4.1％(电池面积为 |
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