首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种新型高压场致发光驱动电路的设计
引用本文:叶星宁,李长虹,班福奎,朱安磊.一种新型高压场致发光驱动电路的设计[J].微电子学,2004,34(2):161-163.
作者姓名:叶星宁  李长虹  班福奎  朱安磊
作者单位:1. 电子科技大学IC设计中心,四川,成都,610054
2. 成都天锐微电子有限公司,四川,成都,610051
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60176029)
摘    要:提出了一种横向高压敏感功率器件的结构,采用SENSE技术制作末端功率器件。该器件是一种新型敏感器件,利用其版图结构及在结终端技术中的特殊结构,可使场致发光(EL)的驱动、智能开关电源等的保护功能更加可靠。在EL控制和驱动电路中,采用一种新型误差放大电路和PWM电路,给出了电路模型参数,并设计了一种具有极低电磁干扰和高稳定度的新型EL电路。

关 键 词:SENSE  场致发光  驱动电路  误差放大电路  PWM  高压驱动
文章编号:1004-3365(2004)02-0161-03

Design of a New High-Voltage EL Driver Circuit
YE Xing-ning,LI Chang-hong,BAN Fu-kui,ZHU An-lei.Design of a New High-Voltage EL Driver Circuit[J].Microelectronics,2004,34(2):161-163.
Authors:YE Xing-ning  LI Chang-hong  BAN Fu-kui  ZHU An-lei
Affiliation:YE Xing-ning~1,LI Chang-hong~1,BAN Fu-kui~2,ZHU An-lei~2
Abstract:A new high-voltage electroluminescence (EL) driver circuit is presented. A lateral high-voltage sensing power device is also proposed. By using its layout structure and the special termination technology, protection functions of the EL driver, smart switch, and power supply are made better and more reliable. In the EL control circuit, a novel error amplifier circuit and PWM circuit is adopted, and its model parameters are given. Finally, a new EL circuit with extremely low EMI and high stability is designed.
Keywords:Electroluminescence  Power device  Sense-FET  High voltage driver
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号