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| 硅的位错核心结构无悬挂键 | |
| 作者姓名： | 昝育德 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｅｒｌ位错等一系列的模型，说明硅中位错核心无悬挂键 |
| 关 键 词： | 硅 位错核心 结构 无悬挂键 |
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