| 用于微测辐射热计的氧化钒薄膜制备 |
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| 引用本文： | 王利霞,李建平,何秀丽,高晓光.用于微测辐射热计的氧化钒薄膜制备[J].真空科学与技术学报,2005,25(Z1):51-53. |
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| 作者姓名： | 王利霞 李建平 何秀丽 高晓光 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
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| 摘 要： | 采用射频(RF)反应溅射法,在微结构衬底上制备氧化钒薄膜,研究了氧气压、衬底温度、退火条件及薄膜厚度对薄膜电阻及电阻温度系数(TCR)的影响.在氮气保护下,采用常规退火和快速升降温退火对薄膜进行热处理.结果表明:氧分压、退火条件和薄膜厚度对电阻温度系数影响较大,需综合考虑;衬底温度对薄膜电阻的影响较大,但对电阻温度系数的影响较小;与常规退火方法相比,采用快速升降温退火有利于薄膜电阻温度系数的提高;通过优化工艺参数,制得的薄膜电阻温度系数可达(-4%/℃)左右,满足微测辐射热计的要求.
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| 关 键 词： | 氧化钒 射频溅射法 电阻温度系数 |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)增-051-03 |
| 修稿时间： | 2004年12月1日 |
Growth of Vanadium Oxide Thin Films for Microbolometer |
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| Wang Lixia,Li Jianping,He Xiuli,Gao Xiaoguang.Growth of Vanadium Oxide Thin Films for Microbolometer[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(Z1):51-53. |
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| Authors: | Wang Lixia Li Jianping He Xiuli Gao Xiaoguang |
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