| 用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构 |
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| 引用本文： | 王云珍,潘尧令. 用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构[J]. 半导体学报, 1989, 10(7): 534-537 |
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| 作者姓名： | 王云珍 潘尧令 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系 上海，上海，上海科学技术专科学校 |
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| 摘 要： | 本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8％到38％)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸随退火温度的提高而增大.膜中氧浓度增加对微晶生长有抑制作用,故膜中氧含量增加将使Si晶粒度减小,或者相应的使薄膜再结晶的温度提高.
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| 关 键 词： | 喇曼光谱 掺氧多晶硅 结构 粒度 |
Raman Spectra Studies of the Microstructure of Oxygen-Doped Polysilicon |
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| Wang Yunzhen/Dept. of Electronic Science and Technology East China Normal University,ShanghaiPan Yaoling/Dept. of Electronic Science and Technology East China Normal University,Shanghai. Raman Spectra Studies of the Microstructure of Oxygen-Doped Polysilicon[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(7): 534-537 |
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| Authors: | Wang Yunzhen/Dept. of Electronic Science Technology East China Normal University ShanghaiPan Yaoling/Dept. of Electronic Science Technology East China Normal University Shanghai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman spectra Oxygen-doped poly silicon microstructure si grain |
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