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真空中延时击穿的研究
引用本文:Jean-LucPonthenier 张蔚平 等.真空中延时击穿的研究[J].真空电器技术,2002(3):40-46.
作者姓名:Jean-LucPonthenier  张蔚平
摘    要:我们用一个高清晰度的双筒摄像机(ICCD),通过一些试验来研究真空断路器的延时击穿现象,延时击穿可以引起电弧重燃,导致开断失败,这种开断失败比较少见,它可以由好几种机理产生,本文介绍了研究这种特殊现象的方法,并且展示了击穿发生的初始阶段电弧的图象。

关 键 词:真空  延时击穿  真空断路器  电弧
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