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Mn离子注入Mg掺杂GaN的微结构和光学特性研究
引用本文:徐大庆,张义门,李培咸,娄永乐,刘树林,童军. Mn离子注入Mg掺杂GaN的微结构和光学特性研究[J]. 功能材料, 2015, 0(14)
作者姓名:徐大庆  张义门  李培咸  娄永乐  刘树林  童军
作者单位:1. 西安科技大学 电气与控制工程学院,西安,710054
2. 西安电子科技大学 微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
基金项目:国防预研基金资助项目,中央高校基本科研业务费专项资金资助项目,陕西省教育厅专项科研计划资助项目,西安科技大学科研培育基金资助项目,西安科技大学博士启动资金资助项目
摘    要:通过Mn离子注入Mg掺杂GaN外延层制备了铁磁性GaN∶Mn薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1.69,2.54和2.96eV的3个新的发光峰,分析认为2.96eV的发光峰来自MgGa-VN复合体深施主能级和Mg的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2.54eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1.69eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。

关 键 词:GaN  离子注入  拉曼散射  光致发光

Microstructure and optical properties of Mg-doped GaN epilayers implanted with Mn ions
XU Daqing,ZHANG Yimen,LI Peixian,LOU Yongle,LIU Shulin,TONG Jun. Microstructure and optical properties of Mg-doped GaN epilayers implanted with Mn ions[J]. Journal of Functional Materials, 2015, 0(14)
Authors:XU Daqing  ZHANG Yimen  LI Peixian  LOU Yongle  LIU Shulin  TONG Jun
Abstract:
Keywords:GaN  ion implantation  Raman scattering  photoluminescence
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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