| 单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备 |
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| 引用本文： | 方志丹,崔碧峰,黄社松,倪海桥,邢艳辉,牛智川.单光子源低密度长波长InAs／GaAs量子点的制备[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
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| 作者姓名： | 方志丹 崔碧峰 黄社松 倪海桥 邢艳辉 牛智川 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.
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| 关 键 词： | 单光子源 低密度 量子点 |
Fabrication of low density and long -wavelength InAs/GaAs quantum dots for single photon sources |
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| FANG Zhi-dan,CUI Bi-feng,HUANG She-song,NI Hai-qiao,XING Yan-hui,NIU Zhi-chuan.Fabrication of low density and long -wavelength InAs/GaAs quantum dots for single photon sources[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
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| Authors: | FANG Zhi-dan CUI Bi-feng HUANG She-song NI Hai-qiao XING Yan-hui NIU Zhi-chuan |
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