| 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 |
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| 引用本文： | 张恩霞,钱聪,张正选,王曦,张国强,李宁,郑中山,刘忠立. 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1269-1272 |
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| 作者姓名： | 张恩霞 钱聪 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050(张恩霞，钱聪，张正选，王曦)，中国科学院半导体研究所 北京100083(张国强，李宁，郑中山)，中国科学院半导体研究所 北京100083(刘忠立) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 上海市重点基础研究项目 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料，并对退火后的材料进行了二次离子质谱（SIMS）分析，结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处．为了分析材料的抗辐照加固效果，分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管，并测试了晶体管辐射前后的转移特性．实验结果表明，注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响．
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| 关 键 词： | 氧氮共注；SIMON；SOI；离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1269-04 |
| 修稿时间： | 2004-08-25 |
Effect of Nitrogen Implantation Technologies on Total Dose Rad-Hardness of SIMON Materials |
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| Zhang Enxia,Qian Cong,Zhang Zhengxuan,Wang Xi,Zhang Guoqiang,Li Ning,Zheng Zhongshan,Liu Zhongli. Effect of Nitrogen Implantation Technologies on Total Dose Rad-Hardness of SIMON Materials[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1269-1272 |
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| Authors: | Zhang Enxia Qian Cong Zhang Zhengxuan Wang Xi Zhang Guoqiang Li Ning Zheng Zhongshan Liu Zhongli |
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| Abstract: | Separation by implantation of oxygen and nitrogen (SIMON) materials are fabricated by one-step and two-step annealing,respectively.The distribution of the ions in the wafers is analyzed by secondary ions mass spectrometer (SIMS),and the results show that many nitrogen ions are collected at the interfaces of SiO 2/Si after annealing.In order to investigate the rad-hardness of the materials,nMOSFETs are fabricated on the SIMOX and SIMON wafers,respectively.The I-V characteristics of the transistors are measured before and after the total dose irradiation.The experiment results show that the total dose rad-hardness of the SIMOX materials can be improved by nitrogen ion implantation and the implantation technology plays an important role. |
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| Keywords: | co-implantation of oxygen and nitrogen SIMON SOI ion implantation |
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