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电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究
引用本文:吕树国,李玉海,张罡,姚俊,毕鉴智,金光.电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究[J].沈阳理工大学学报,2006,25(1):78-82.
作者姓名:吕树国  李玉海  张罡  姚俊  毕鉴智  金光
作者单位:沈阳理工大学,中俄联合高能束流实验室,辽宁,沈阳,110168
摘    要:采用阴极电弧离子镀技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材上制备TiAlN膜层,镀膜装置为俄罗斯科学院UVN 0.5D2I电弧离子镀膜机,该设备由一个大功率的气体离子源和两个金属蒸发源组成.气体离子源具有气体离子轰击和辅助沉积的特点.研究了电弧电流、负偏压和气体离子源功率等工艺参数对膜层的影响规律.实验结果表明:气体离子源具有明显的细化金属颗粒的作用.提出了制备TiAlN膜层的最佳工艺,得到了厚度为5 ~10μm、相结构为Ti0.5Al0.5N、显微硬度为1200HV0.01的TiAlN膜层.

关 键 词:电弧离子镀  TiAlN膜层  偏压  抗氧化性  气体离子源
文章编号:1003-1251(2006)01-0078-05
修稿时间:2005年2月28日

Research of TiAlN Coating Depostied by Arc ion Plating
LV Shu-guo,LI Yu-hai,ZHAN Gang.Research of TiAlN Coating Depostied by Arc ion Plating[J].Transactions of Shenyang Ligong University,2006,25(1):78-82.
Authors:LV Shu-guo  LI Yu-hai  ZHAN Gang
Abstract:
Keywords:arc ion plating  TiAiN coating  bias voltage  oxidation resistance  gas ion source
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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