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| HEMT及其界面态效应的二维数值模拟 | |
| 作者姓名： | 相奇 罗晋生 朱秉升 |
| 作者单位： | 西安交通大学微电子技术研究室 西安710049(相奇，罗晋生)，西安交通大学微电子技术研究室 西安710049(朱秉升) |
| 摘 要： | 本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响. |
| 关 键 词： | HEMT 调制 掺杂 异质结界面 数值 |
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