| InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象 |
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| 引用本文： | 刘成祥,谢自力,韩平,刘斌,李亮,符凯,周建军,叶建东,文博,王荣华,张禹,陈敦军,江若琏,顾书林,施毅,张荣,郑有炓.InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象[J].半导体学报,2006,27(z1):97-100. |
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| 作者姓名： | 刘成祥 谢自力 韩平 刘斌 李亮 符凯 周建军 叶建东 文博 王荣华 张禹 陈敦军 江若琏 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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优秀创新研究群体科学基金
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高等学校博士学科点专项科研项目
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江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.
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| 关 键 词： | InxGa1-xN合金薄膜 表面分凝 Ⅴ/Ⅲ比 合金薄膜 表面 分凝 现象 Films Surface Segregation Indium 几率 解吸附 增强 迁移能力 原子 反应气体 存在 生长温度 光电子能谱 衍射谱 射线 效率 衬底温度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0097-04 |
| 修稿时间： | 2005年11月23日 |
Investigation of Indium Surface Segregation in InxGa1-xN Films |
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| Liu Chengxiang,Xie Zili,Han Ping,Liu Bin,Li Liang,Fu Kai,Zhou Jianjun,Ye Jiandong,Wen Bo,Wang Ronghua,Zhang Yu,Chen Dunjun,Jiang Ruolian,Gu Shulin,Shi Yi,Zhang Rong,Zheng Youdou.Investigation of Indium Surface Segregation in InxGa1-xN Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):97-100. |
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| Authors: | Liu Chengxiang Xie Zili Han Ping Liu Bin Li Liang Fu Kai Zhou Jianjun Ye Jiandong Wen Bo Wang Ronghua Zhang Yu Chen Dunjun Jiang Ruolian Gu Shulin Shi Yi Zhang Rong Zheng Youdou |
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